简介：漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜（PEM）和光束感生电阻变化（OBIRCH）技术互补地结合使用,对集成电路中常见的PN结漏电、介质层绝缘性降低、间接漏电流失效和芯片的背面分析案例进行研究,分析由过电应力、金属化桥连、静电放电损伤导致漏电的定位特性。得出以下结论：根据光发射显微镜得到的缺陷形貌和位置可以断定是否为原始失效或间接失效,结合电路分析进而可以解释发光的原因;OBIRCH对原始缺陷的定位更为准确,多层结构的背面OBIRCH分析更有优势。
简介：企业人才危机周期可以分为四个阶段"低-高-高-低"也就是:高级人才低位使用期,低级人才高位使用期,高级人才高位使用期,低级人才低位使用期.公司创业成立初期,为"高级人才低位使用期".创业者虽然是董事长、总经理职位,但为了生存都必须亲自上第一线:争客户订单、参与产品研发和生产制造.此时,是处于高级职位的优秀人才从事低职位工作,俗话称为"高低配置".这一个阶段,对于传统产业,一般为3年;对于新兴产业,一般为2年.对于优秀创业团队所成立的公司,在"高低配置"阶段,结果是企业迅速发展;对于平庸创业团队所成立的公司,结果是艰难徘徊.
简介：2012年6月18日，CCLA雷正明秘书长访问了上海南亚包秀银董事长。包董热情地接待了来访者，并就中国覆铜板产业发展、协会工作、上海南亚公司的发展等问题进行了深入地交流。
PEM/OBIRCH用于集成电路漏电流失效定位
中国企业的人才危机周期
打造产业联盟加强“突围”意识努力建设人才团队——上海南亚包秀银董事长接待CCLA秘书长访问一席谈
