简介：<正>爷,是天津男人间的尊称;我们称张仲先生为仲爷,更是含着对这位精通津门地域文化的学人特殊的敬意。我用"仲爷"这称呼叫了他二十年,但他今天走了,走得无影无踪。他会从此消失在他挚爱

简介：向仲华，原名向崇如，又名向镇华，笔名苏澄、望一，１９１１年８月出生于湖南省溆浦县观音阁乡浆池湾村的一个农民家庭。８岁开始读私塾，１４岁考入县立高级小学，因成绩优秀，１９２６年被保送到县立中学读书。向仲华青少年时期就受到革命的熏陶。１９２７年大革命浪潮...

简介：<正>10月3日中午,我正在翻阅《文学界》2008年第9期上所载章仲锷专辑中的文章,电话铃响了,拿起话筒,一听竟然是他女儿章则哭着告诉我:"张伯伯,我爸爸今晨走了!""什么!?国庆节前我还跟他通电话,好好的怎么突然走了!"章则说:"先是发烧,后转为肺炎、心衰,就没有挺过去。"

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简介：<正>宋城画院院长来仲棣,1957年6月出生于杭州。幼小受家庭熏陶,一直追随其叔公来楚生的金石书画艺术。上世纪70年代即考入杭州市第一期书法高级培训班,曾就读于之江高等艺专,后又入中国美术学院深造。作

简介：秦代的上谷(今河北怀来境内),出了一位有名的擅八分书的书法家,他叫王次仲。王次仲天资聪颖,从小就勤奋好学,学东西很快。他特别喜欢写字,每天都花很多时间练习,常常是废寝忘食。

简介：本文评价了系统封装技术的研发历程,探讨了这种封装的特性.同时指出了在实际应用中一种具有代表性的成果.

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简介：摘要：由于BGA (Ball Grid Array球栅阵列)技术应用领域的广泛化,其BGA返修技术已被各电装企业重视。本文按照BGA元器件返修工艺流程为顺序,介绍了BGA封装器件返修技术，侧重阐述了BGA元器件返修工艺过程控制,重点论述了回流焊接温度曲线设置、BGA植球等工艺技术控制手段及工艺要求。

简介：<正>00614HighFrequenceParasiticEffectsforOn-WaferPackagingofRFMEMSSwitches/A.MargomenosandL.P.B.Katehi(UniversityofMichigan,USA)//2003IEEEMTT-sDigest.—1931介绍了RFMEMS开关的圆片级封装设计。所设计的圆片级封装件在频率高至40

简介：小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史，介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点，详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装（ChipSizedSAWPackage，CSSP）技术，将通用芯片倒装技术（FlipChipBonding，FCB）和SAW封装的特点结合，使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。

简介：LED封装的作用是将外引线连接到LED芯片的电极上，LED封装不仅仅只是完成输出电信号，更重要的是保护管芯正常工作，输出可见光的功能，而且起至班组高发光效率的作用。无论何种LED都需要针对不同类型设计合理的封装形式，因为只有封装好的才能成为终端产品，才能投入实际应用。

简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：文章介绍了堆叠封装的最新动态,包括芯片堆叠封装、封装堆叠封装、系统级封装、多芯片封装、堆叠芯片尺寸封装和三维封装等.文章归纳出当前堆叠封装的发展方向是：种类越来越多、市场越来越大、高度越来越薄、功能越来越多和应用越来越广等.

简介：自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位：主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz；CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上；半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到ULSI。封装的输入／输出（I／O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。

简介：摘要：当前，为解决由于标准缺失而导致的维预测性维护流程不清晰、预测模型构建不规范、关键参数选取标准不统一、导致预测结果不准确等问题，本文在分析集成电路封装关键设备远程预测性维护标准需求和国内外标准现状的基础上，开展集成电路封装关键设备远程运维预测性维护标准研究，包括基本流程要求、数据采集与处理要求、状态监测要求、故障模式识别要求、维修决策优化要求，并介绍了项目研究过程中突破的一些关键技术。

简介：采用液固分离工艺制备高SiC体积分数Al基电子封装壳体（54%SiC，体积分数），借助光学显微镜和扫描电镜分析壳体复合材料中SiC的形态分布及其断口形貌，并测定其物理性能和力学性能。结果表明：SiCp/Al壳体复合材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中。复合材料的密度为2.93g/cm^3，致密度为98.7%，热导率为175W/（·K），热膨胀系数为10.3×10^-6K^-1（25~400℃），抗压强度为496MPa，抗弯强度为404.5MPa。复合材料的主要断裂方式为SiC颗粒的脆性断裂同时伴随着Al基体的韧性断裂，其热导率高于Si/Al合金的，热膨胀系数与芯片材料的相匹配。

简介：随着微电子技术及半导体技术的快速发展，高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP／Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能，受到了广泛的关注。作为电子封装材料，SiCP／Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状，详细阐述并比较了几种常用的制备方法，包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等，进一步分析了各种方法的优缺点，并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

简介：摘要：随着集成电路技术的发展和应用需求的提高，对封装方案的要求也变得越来越高。CMH全无机封装作为一种新兴的封装技术，因其优异的性能和应用潜力而备受关注。对其热性能、电性能和机械性能进行分析，在整体封装方案中的应用。CMH全无机封装的优势，有助于更好地理解该技术在集成电路封装中的价值。基于此，本篇文章对CMH全无机封装在集成电路封装中的应用与性能进行研究，以供参考。

简介：2009年12月4日在北京召开了中国电子学会电子制造与封装技术分会七届三次常务理事扩大会，出席会议的有：毕克允理事长、高宏秘书长、陈长生副秘书长、中电2所赵志明主任、中电13所赵彦军副所长、中电14所吴礼群高工、汤俊高工等相关业界人士，共20余人。