简介：<正>据韩联社11月5日消息,韩国未来创造科学部5日表示,韩国庆尚大学和中央大学的研究小组近日研发出可用于下一代柔性显示器的半导体液晶管,该材料的电荷载子迁移率为12,达到世界最高水平。据介绍,为了使半导体液晶管用于柔性面板AMOLED等下一代显示器,电荷迁移率应超过10,但现有半

简介：通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

简介：Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器-VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了309／5的PCB空间。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

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简介：文章提出了一种基于Dickson原理的电荷泵电路，采用齐纳管作为开关器件。该电路克服了采用MOS管作为开关器件的Dickson电路在多级级联时的转换效率急剧下降问题，并且可以利用齐纳管来稳定输出电压.Spice仿真结果显示，五级齐纳电荷泵可以轻松在3V电源电压下实现10V左右的稳定电压输出。该电路结构简单，与标准CMOS工艺兼容，具有较高的应用价值和经济价值，

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

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简介：按照ODS特别工作组拟定的工作目标，采用HEP-2和HT-1与原使用的CFC-113对真空开关管常用的7种零件和部件进行清洗对比试验。检测分析结果表明，HEP-2清洗效果优于CFC-113和HT-1。采用HEP-2清洗的波纹管(真空开关管的结构件)进行了耐腐蚀性和机械寿命试验，其结果与CFC-113无明显差异。采用HEP-2清洗的真空开关管零、部件进行了整管试验，其参数合格并按规定通过了型式试验。各项试验表明，HEP-2基本上可以作为目前CFC-113的主要替代品。

简介：＂物联网与智慧城市工程技术研究中心＂顺势而为、孕育而生内蒙古工业大学＂物联网与智慧城市工程技术研究中心＂（下简称：研究中心）是内蒙古工业大学信息工程学院、清华大学自动化系、内蒙古盛都信息科技有限公司发起成立的工程技术研发中心。目前研究中心已完成开发并可承担的项目包括：

简介：我们必须始终保持清醒头脑，立足社会主义初级阶段这个最大的实际，科学分析我国全面参与经济全球化的新机遇新挑战，全面认识工业化、信息化、城镇化、市场化、国际化深入发展的新形势新任务，深刻把握我国发展面临的新课题新矛盾，更加自觉地走科学发展道路，奋力开拓中国特色社会主义更为广阔的发展前景。

简介：摘要本篇文章通过对火力发电厂锅炉四管的无损检测技术分类的介绍，研究分析出无损检测技术对减少锅炉四管爆裂现象发生的意义，同时还讨论了无损检测技术在火力发电厂锅炉四管检验中的应用。为了严格管理火力发电厂对锅炉四管的检测工作，减少火力发电厂锅炉发生出现意外情况的发生，相关单位还需加强对无损检测技术的应用工作。科学的使用无损检测技术，才能更好的保障火力发电厂锅炉生产过程中的安全以及火力发电厂发电工作的是顺利进行，更好的促进火力发电厂的经济发展。

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编

简介：赖锡璋总监：1998年，我们公布了首份“数码21资讯科技策略”，为香港制订了资讯及通讯科技的发展蓝图。

简介：8月15日,《中国信息界》杂志社理事会成立大会暨2014中国智慧城市创新应用大赛启动仪式在北京厦门会馆举行,来自神州数码信息系统有限公司、北京大学区域经济研究中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、方正国际软件有限公司、赛伯乐投资集团、立得空间信息技术股份有限公司、百度在线网络技术（北京）有限公司、北京航空航天大学深圳研究院、中兴能源有限公司、首都信息发展服务有限公司、

简介：《2003年中国互联网络信息资源数量调查报告》正式发布。2004年电子政务将进入全面实施阶段。

简介：2004年全球电子支付和移动商务市场规模将达2000亿美元。

简介：在对1000家大型企业的调查中发现，仅有3.7%的企业信息化应用比较成熟。