0.4～0.25μm时代的电极布线形成技术-中国期刊网

首页 > 《电子与封装》 > 2002年5期 > 0.4～0.25μm时代的电极布线形成技术

（整期优先）网络出版时间：2002-05-15

作者:

电子电信 >物理电子学

同系列资源

/ 1

　　1前言　　关于LSI的高密度化,现以DRAM为例来说,则是从16M开始至64M出厂样品.对于逻辑电路来说,0.5μm级的产品化正在开始.　　……

同系列内容

《电子与封装》2002年5期 - 0.4～0.25μm时代的电极布线形成技术 2002-05-15 3002
《电子与封装》2002年5期 - 0.4～0.25μm时代的平坦化技术 2002-05-15 4919
《电子与封装》2002年5期 - 0.4～0.25μm时代的离子注入技术 2002-05-15 4312
《电子与封装》2002年5期 - 0.4～0.25μm时代的腐蚀技术 2002-05-15 701
《电子与封装》2002年5期 - 0.4～0.25μm时代光刻技术 2002-05-15 4846

查看全部

来源期刊

电子与封装

电子与封装

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

布线形成形成技术时代电极

返回顶部