简介：近日，在晶能光电（江西）优先公司生产线扩容项目中，伊顿公司凭借卓越的品牌优势、领先的技术及专业的解决方案服务，从众多的竞争对手中脱颖而出，再次为晶能光电提供伊顿高可靠性UPS产品，以保障LED生产设备的正常运行。

简介：遵照党中央、国务院关于对符合国家职业标准规定条件的后备高技能人才，应及时提供技能鉴定服务；对在岗工作多年的后备高技能人才，应及时提供技能鉴定服务；对在岗工作多年并具有相应技能水平和实践经验的在职职工，要普遍开展技能评价认定。专业技术人员和生产管理人员等有意愿参加考核鉴定的其他各类人才，要同等提供评价服务。

简介：

简介：4、通用电气123.5亿欧元收购阿尔斯通部分电力业务11月5日,法国政府正式批准美国通用电气公司以123.5亿欧元（约合154.38亿美元）收购法国阿尔斯通集团大部分电力业务。法国经济部当天发布新闻公报说,法国经济、工业和数字经济部长马克龙同意通用电气对阿尔斯通的投资计划,对两大集团在电力方面联合发展的计划予以批准。收购完成后,新的阿尔斯通集团将拥有充分资源,有望在交通领域成长为法国和欧洲的领头羊。

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简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：日前,历经近三个月的火热开展,"维力全开,谛造价值--维谛技术(Vertiv)2018关键基础设施巡展",在深圳圆满落下帷幕。21站巡展活动横跨全国各大重点区域,期间全面展示了维谛技术(Vertiv)的全业务产品。同时,巡展活动的诸多亮点,也在业内营造了强大影响力,赢得了客户、设计院及合作伙伴的一致推崇,以显见的巡展效果开创了关键基础设施主题营销的创举。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：在现代文明中，二次电池已走入千家万户，是我们生活中不可缺少的物品。在现在市场上，主要的二次电池是铅酸电池、镉镍电池、氢镍电池和锂离子电池，本文就这些电池的发生、发展、性能、生产和应用作一简要的综述。

简介：1小信号处理电路开关电源讲完后，打算讨论变频器里的采样电路了，张老师说：“采样电路必须解决好两件事情：第一件是放大，例如，在测量电流时，采样时是不允许影响被测的电流的。所以，采样所得的信号，常常是十分微弱的，必须进行足够的，而又不失真的放大。

简介：改革开放之初，两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后，他们先后给留守国内的笔者来信，言及回国后想大干一场的志向。其中，他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中，又不约而同地列有“快导通二极管”一项，问我什么是“快导通二极管”?请我向他们解释一下。

简介：介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。

简介：本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管（FRD）的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD需要配置的硬件条件等。

简介：介绍了纳米硅开关二极管的电特性及其应用。

简介：4.4宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。其中SiC器件技术最

简介：城镇二次加压泵站在同样的水泵设备配置情况下，采用不同种的工艺运行方式其能耗有着很大的差别。文中通过对泵站4种常用运行方式的电耗分析，探讨了城镇二次加压泵最佳的工艺运行方式及电耗的计算方法。

简介：在所有的电力电子设备中获得最高的转换效率永远是人们追求的头等目标。在一些新标准的规定下目前很多功率转换设备都必须具备有效功率因素校正功能。对电子元件而言额外的功率损耗会增加散热器和整个设备的体积。本文研究的目的就是在不断增加设备成本的情况下将损耗降到最低。

简介：主要介绍了厚膜片式二极管的研制背景及应用领域，指出了厚膜片式二极管应用的关键技术和工艺、最后讨论了厚膜式片二极管的发展前景。

简介：为了将Z源逆变器的单级变流特性应用于高压大功率场合，克服双Z网络二极管箝位五电平Z源逆变器所需储能元件多、硬件成本高及调制复杂的缺点，提出一种单Z网络结构的二极管箝位五电平拓扑，该拓扑只需一个Z网络，但通过合适的脉宽调制可以达到与双Z网络相同的升压效果。给出Z源逆变器直流链全直通及部分直通原理，分析适用于五电平Z源逆变器的直通控制方法，设计了直通状态插入的同向载波层叠（D）及交替反向载波层叠（APOD）两种脉宽调制策略。最后仿真验证系统直通控制方法及调制策略的正确性。