简介：用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

简介：利用同步辐射对合成金刚石晶体中面状缺陷进行了形貌学研究。在晶体中观察到多个层错和一个由两个层错三角形组成的层错四面体。计算了层错及层错四面体各个边界的方向指数，确定了各个层错的面指数。根据层错的消像规律．确定了各个层错的位移矢量。除一个层错为Frank型简单层错外。其余层错皆为既具有Frank位移，又具有Shockley位移的复合型层错。分析了层错的形成机理。层错尺寸火小在0．68-1．15mm之间，是前人在合成及天然金刚石中从未见到的。

简介：本文采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001）外延层的极图和倒易空间mapping，研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延层中片状六角相与立方相之间的取向关系为：（111）／／（0001）、＜112＞／／＜1010＞。由于（111）Ga面的外延速度远高于{111}N面，导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的（111）Ga面和(111)Ga面上形成，而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延层中立方相微孪晶的含量明显低于六角相，表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。

简介：

简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明，由于Ge原子的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为X=0．13；650℃退火会使Ge原子向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。

简介：北京同步辐射装置（Beijingsynchrotronradiationfacility,BSRF)3B1B生物光谱实验站已经投入运行，该站的主要工作是测量样品的圆二色性。本文介绍该站为获取稳定的圆二色信号所做的工作。

简介：应用扩展X射线精细结构（EXAFS）技术研究了化学改性MnO2中锰及铋的结构形态。结果表明：掺杂元素铋进入MnO2的晶格，增大MnO2的不同壳层配位无定形。在MnO2-电子放电还原过程中，铋的氧化态保持稳定，MnO2没有发生结构重排。

简介：本文考察了正硅酸乙酯(TEOS)在碱性催化条件下通过水解和缩聚而制得的二氧化硅胶体的小角X射线散射(SAXS)特征，通过散射数据对Porod负偏离的分析和校正，测定了胶体粒子的几何结构，包括胶团尺度分布、胶核尺度分布及平均界面层厚度，这有助于认识胶体的物理化学特征。

简介：本文利用沉淀法制备了粒度分窄，无明显团聚的ZrO2纳米微粒。考察了ZrO2纳米微粒修饰丝光沸石对二甲苯异构化的影响。实验结果表明，经修饰后的丝光沸石催化剂能有效地抑制副反应的发生，提高二甲苯异构化的选择性，超微粒子修饰的丝光沸石的催化活性和选择性明显优地体相材料修饰的样品。

简介：应用同步辐射小角X射线散射方法测试了不同制备条件下SiO2干凝胶的孔隙结构，发现了散射曲线对Debye散射理论的遵守与正、负偏离的三种情况。分别应用Debye法和Guinier法（逐级切线法和多级斜线法）计算了SiO2干凝胶中微孔的平均孔径，结果表明这几种方法的计算值不仅在遵守Debye散射理论的情况下比较接近，而且在偏离（正和负）Debye散射理论的情况下也取得了较好的一致性。

简介：提出了当多孔体系的小角X射线散射不遵守Porod定理的情况下，应用Debye法（相关函数法）和Guinier法（逐级切线法和多级斜线法）计算它们的平均孔径的方法。对不同制备条件下部分二氧化硅干胶凝的测试，取得了比较一致的结果，并与氮气吸附法测定结果进行了对比。

简介：在同步辐射软X光能区（50－2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验，因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗，使得可以用简单的模型来分析实验结果，由实验测得的光电流，计算出硅光电二极管的量子效率，并求得入射同步辐射的光通量。