简介:
简介:本文总结了离子膜电解槽阴极极片国产化改造的情况,达到了预期效果,降低了可观的改造投资费用。
简介:介绍AZEC—F型离子膜电解槽的结构概况及维护检修应注意的问题,为今后电解槽的维护检修工作提供技术依据。
简介:随着现代科学研究和工业生产对数据采集要求的日益提高,很多场合都需要对高频模拟信号进行高速、高精度的量化采集。本文针对高速数据采集系统中的实时性、采集速率等问题提出了一种结合FPGA与单片机的低成本高速数据采集系统设计方案。该系统以高速SOC单片机C8051F360和FPGAEP2C8T144为核心,运用模块化设计方法,实现软硬件设计,具有一定的实用价值。
简介:铜金属的无电电镀制成的阻挡层沉积能给人们带来很多好处。在其中,有对双向导电的选择性,有再沉积一种无定形合金的可能性,有通过加入一种第三组份而使二元合金的性质增强化的好处,有高可靠性和低成本费用。在集成电路的结构中在铜和钴的面上,在碱性溶液中常沉积一层富钴的钴——钨——磷三元合金。合金中磷的成分较高(以重量计约11%),低的第三组份钨(约以重量计占2%)。
简介:用负电极电位分析法研究了游离F和氧化剂对Al—Mg合金上生成磷化膜的影响。磷化膜生成过程包括7步:溶蚀基质,起膜,再溶蚀,成膜,重结晶,精制膜生成,通过腐蚀检验。Al-Mg合金的腐蚀电位受NO2^-和F^-的影响。磷化速率随F^-含量增加而增大,当F>450×10^-4%时,腐蚀速率增大。磷化槽重的氧化剂是必不可少的。
简介:题录的组合物可用于电气和电子设备,它含100份芳香族聚碳酸酯,5—100份含苯乙烯和12—20%(甲基)丙烯腈的共聚物,1—40份含磷阻燃剂,0.1—5份聚氟乙烯。例如,将聚(4,4-亚异丙基碳酸酯)(IupolonS3000)100份,ABS共聚物(含15%丙烯腈)25份,缩聚磷酸盐(FP500)15份;PTFE(PolyflonF201L)0.4份混合,于240℃造粒,注射模塑后得试验块,其悬臂式冲击强度为41kg—cm/cm,UL-94阻燃值V—O。
129:245895f磷阻燃剂
129:193432f处理含磷废水的方法和设备
F1型电槽阴极的国产化改造
F2激光系统用大直径氟化钡
AZEC—F型离子膜电解槽维护检修技术要点探索
基于C8051F360和FPGA的高速数据采集系统设计
等离子CVD生产商展望用F2替代NF3
130:88808f 铜薄膜阻挡层的薄型无电电镀
129:192550f用于抗氧化的经磷酸盐处理了的石墨部件
129:2369901f用可溶凝胶法合成的磷酸氧钛钾薄膜及其电子——光学性质
130:84518p 游离F^-和氧化剂对Al-Mg合金磷化处理的影响
129:216684f取代的二甲基二硫代磷酸酯苯的合成和灭菌活性
129:189397f靛红N、N二甲基腙与膦酸二乙酯的反应
129:248404f具有良好抗腐蚀性,二次加工抗脆性的热轧钢板的生产
129:246094f热塑树脂组合物及其具有防水、耐火、抗电孤性的塑模制品
130:82345f 具有良好耐火性和耐冲击性的芳香族聚碳酸酯组合物