简介：嵌入式应用中，单指令流多数据流（SIMD，singleinstructionmultipledata）结构的向量处理器在蓬勃发展的同时，也面临着如何高效利用其丰富处理资源的问题。在SIMD的向量结构上，处理实际应用中无法被向量化运算的部分，尤其是很多非向量化的循环内部往往含有体间相关，使得SIMD结构的丰富运算资源处于空闲状态。因此，传统的SIMD结构受限于此类应用。提出了一种变型的向量处理器，在保持传统SIMD处理数据并行应用高效性的同时，能够高效地执行包含循环体间数据相关的代码段。实验结果表明，它能获得2．4倍的性能加速，而仅仅占用0．97％的面积开销。

简介：为了解决动目标检测过程中的盲速问题,通常采用参差周期法设计参差滤波器组来达到同时抑制杂波和推远盲速的效果。提出了一种基于梯度免疫算法的参差MTI滤波器优化设计。该算法利用免疫算法搜索最优参差码,有效地避免了传统遗传算法中的早熟问题。针对传统的遗传算法运算量较大的问题,引入了梯度算子缩小初始种群规模,使运算量大大减少。仿真结果验证了算法的可行性和有效性。

简介：在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N＋S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点：源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。

简介：目前,开关电源以小型、轻量和高效率等特点被广泛应用于几乎所有的电子设备,电源系统通常被称为＂心脏系统＂,有着其他系统不可比拟的重要地位。随着科学技术的发展,各种用电装备系统对于电源的要求也越来越高,电源组件直接影响着装备系统的体积、重量和可靠性。文章以一个小型化隔离型双路输出DC/DC变换器作为设计实例,通过对实际电路的分析,详细说明其工作原理及主要器件的取值或计算方法。

简介：文中提出了一种片上FLASH替换设计方法,在不改变原FLASH控制逻辑的情况下,通过增加接口转换逻辑,在原FLASH控制接口与新FLASHIP接口之间进行功能与时序的转换,实现片上FLASH的替换。由于固化了已有的成功设计,从而大大降低了替换修改带来的风险。通过测试仿真,输出结果在接口功能和时序上都符合新的FLASHIP的工作要求,并在某SOC的FLASHIP替换中应用。

简介：提出了一种基于协议重构的内外网逻辑隔离新方法，通过重构现有公共通信协议，形成专有协议，实现内网专有用户与公共用户隔离。在内网中，公共用户能访问外网，而专有用户与外网“逻辑隔离”。相对于物理隔离方法，这种方法在保证内网安全性能的前提下，满足了内网用户对外信息的需求，提高了信息交流的灵活度；相对于传统协议隔离方法，这种方法投入小、技术风险低，实用性更强。

简介：<正>是德科技公司(KeysightTechnologies,Inc)日前宣布推出全新的N5193AUXG捷变频信号发生器。这款现货供应的仪器适用于在航空航天与国防应用中高度真实且可扩展地仿真各类威胁。此外,UXG还支持滑入式安装方式,能够可靠地替代大型精密仿真系统中通常使用的传统快速切换本地振荡器(LO)。N5193AUXG捷变频信号发生器

简介：智慧城市是解决当前城市发展难题和实现可持续发展的重要途径，其总体架构设计十分重要，参考美国国家标准技术研究院（NIST）云计算模型，结合国家智慧城市试点建设情况，提出了一个包括物理资源层、资源提取与控制层、基础设施服务层、平台服务层、用户服务层的系统总体架构。该架构一方面将云计算技术与具体应用相结合，另一方面也体现了当前我国智慧城市应用中的建设需求，可为未来系统建设提供参考。

简介：<正>是德科技公司宣布推出适用于射频功率放大器(PA)表征和测试的全新PXI参考解决方案,支持工程师执行S参数、谐波失真、功率和解调测量,对功率放大器-双工器(PAD)等下一代功率放大器模块实施快速和全面的表征。它经过优化,能够提供更高的测量吞吐量和测量精度。这款功能齐全的小型PXI参考解决方案是目前业界唯一适合对射频功率放大器及其周边所有无源器件(例如滤波器和双工器)执行设计验证和产品测试的解决方案。

简介：<正>全球微控制器(MCU)及触控技术解决方案领导者Atmel公司(NASDAQ:ATML)在2014欧洲国际表计展览会(EuropeanUtilityWeek2014)上推出了全新无线收发器系列。Atmel的AT86RF215是该系列首款已生产样本的器件,也是业内首款符合IEEE802.15.4g-2012和ETSITS102887-1标准的双频段sub-1GHz/2.4GHz收发器。新器件包括单频段sub-1GHz收发器

简介：文章在碰撞二叉树算法（CT）技术的基础上提出一种用于433MHz频段下的标签防碰撞算法——改进型碰撞二叉树算法（ICT）,可以很好地对各类土地的地形分布数量等特征进行测量。该算法根据首次碰撞码字进行前缀生成和标签组区分,在标签快速识别中,对每一个标签使用了一个计数器和一个指针,用来记录阅读器的历史序列,从而使得阅读器不需要传输整个前缀序列。仿真结果表明,ICT算法在当标签ID具有类似的前缀时,表现出优于CT算法的性能。

简介：模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2VCMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。

简介：针对飞机、舰船和车辆等运动平台上不同类型主/被动传感器信息融合难点,分析了运动平台姿态对目标方位和俯仰角测量值的影响,讨论了受平台姿态变化影响的侧倾角、前倾角、平面旋转角、平面旋转轴角、目标假方位和假俯仰角等有关概念和定义,推导出受姿态变化影响的平台直角坐标系与平台空间直角坐标系关系,给出了运动平台传感器测量参数与目标地理位置之间正反变换解析方法,结果支持运动、固定平台传感器测量系统坐标统一。

简介：<正>AnalogDevices,Inc.全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,近日推出业界精度最高的隔离式Σ-Δ型调制器AD7403,适合直流/交流功率转换应用中的精密电流和电压测量。隔离式Σ-Δ型调制器AD7403可在78KSPS速率以及-40°C至+125°C温度范围内实现81-dB的信噪比和信纳比(SINAD)(最小值),比竞争器件高出11dB。较高的信纳比可实现更加精确的电流和电压测量,通过降低电机轴上的转矩波动,提高电机驱动的性能。此外,较高的信纳比

简介：微连接是电子产品制造中的关键技术之一,它既是实现芯片设计性能的重要途径,又是制约封装结构发展的瓶颈。微连接技术决定了封装结构的可实行性和可靠性,而随着芯片集成度不断增加,封装结构的创新也成为推动微连接技术发展的重要动力。该文通过对微连接技术及电子封装结构发展历程的研究,探究二者之间的相互关联,并介绍了微连接的几种特点以及几种常见的芯片焊接技术和微电子焊接技术,最后对电子封装结构及微连接技术的未来发展趋势进行了展望。

简介：静态存储器（SRAM）功耗是整个芯片功耗的重要组成部分,并且大规模SRAM的仿真在芯片设计中也相当费时。提出了一种基于40nmCMOS工艺、适用于FPGA芯片的SRAM单元结构,并为该结构设计了外围读写控制电路。仿真结果表明,该结构的SRAM单元在保证正确的读写操作下,静态漏电电流远远小于同工艺下普通阈值CMOS管构造的SRAM单元。同时,为了FPGA芯片设计时大规模SRAM功能仿真的需要,为SRAM单元等编写了verilog语言描述的行为级模型,完成了整个设计的功能验证。

简介：宽带频谱检测的目的是完成对宽频段内信号的检测。在Nyquist采样理论下，为瞬时覆盖这么宽的带宽会对模数转换器（ADC，analog—to-digital）的采样率提出过高要求。研究了基于随机解调器压缩采样的宽带频谱检测方法。该方法能够以低于Nyquist采样率的速率完成对宽频段的采样，降低了ADC的负担。仿真结果表明，在频谱满足稀疏性的条件下，所研究的方法能够较准确检测宽频段内的各个信号。

简介：<正>信息时代的到来,是对信息获取技术的考验,也是对信息可靠性及准确性的考验。为了从外界获取准确可靠的信息,人们必须借助于传感器。它作为人类感官的延长,是我们获取自然和生产领域中信息的主要途径与手段。无论是现代工业生产,还是在基础学科的研究中,传感器的应用早已渗透进社会的方方面面。正因为传感器技术越发明显的不可替代性,该领域的发展

简介：研究了在基于TCP／IP体制的AdHoc网络中，利用简单网络管理协议SNMP和网管代理解决严重和复杂的网络管理问题。在分析SNMP协议工作原理的基础上，探讨了SNMP代理的工作流程、组成模块和实现方式，并搭建AdHoc网络实验环境进行了测试验证。实验结果表明，通过SNMP协议和代理，能够有效管理和控制AdHoc网络中的关键参数，降低了系统的复杂程度和技术风险。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。