简介：

简介：微电子器件的封装密度不断增长，导致其功率密度也相应提高，单位体积发热量也有所增加。为此，文章综述了封装外壳散热技术的基本原理、最新发展及其应用，并简要讨论了封装外壳散热技术的未来发展趋势及面临的挑战

简介：LED作为第四代照明光源已被广泛应用于显示和照明系统设备，但由于其光电转化率较低，大部分电能实际转化成了热量，所以如何提高其散热能力是大功率LED实现产业化亟待解决的关键技术之一。文章以某公司LED路灯为模型，采用ANSYS有限元软件对其进行参数化建模及热分析，得出了其稳态的温度场分布，在此基础上通过设计正交实验，分析了铝制热沉不同结构参数对其温度场的影响情况。由最终的结果可知，在合适的范围内使散热器翅片的厚度和间距较小一些，可得到较为理想的优化结构，既能控制芯片的最高温度，又有效地减小了散热器的质量。文章LED路灯算例得到优化的质量为原质量的33．40％。

简介：金刚石/铜复合材料具有高的热导率和可调的热膨胀系数,是一种极具竞争力的新型电子封装材料,可作为散热材料广泛应用于高功率、高封装密度的器件中。文中从工程化的角度出发,对应用中的瓶颈因素进行了研究。为改善其钎焊性能,采用磁控溅射、电镀等方法在金刚石/铜表面获得了附着力、可焊性良好的Ti-Cu-Ni-Au复合膜层。在此基础上进行了钎焊试验,金锡焊料在复合膜层上铺展良好、无虚焊。对金刚石/铜的散热效果与钼铜片做了对比试验,结果表明,在相同条件下,与钼铜热沉片相比,降温幅度超过20℃,具有更优异的散热效果。

简介：<正>美国西北太平洋国家实验室(PacificNorthwestNationalLaboratory)以及奥勒冈州立大学(OregonStateUniversity)的研究人员称,一种新研发的纳米级涂料能大幅提升半导体等器件的散热效率。"在一种‘裸’铝基材的纳米结构化表面,我们观察到以10倍速改善的热传

简介：

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：针对辐射源识别中的参数模糊交叠问题，提出了基于云模型的辐射源样本隶属度获取方法，结合分布式传感器的优势，构建云模型在分布式传感器辐射源识别中的应用系统。首先介绍云模型的有关概念，其次分析分布式传感器的特征，再由云模型区间型和离散型辐射源样本隶属度，并进行单传感器时域融合和分布式传感器信息融合，利用判决规则完成决策。仿真结果说明基于云模型的辐射源识别率高。

简介：NOR型FLASH存储器因其能够长久地保持数据的非易失性（Non-Volatile）特点,被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质,但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令,以启动内置编程/擦除算法,从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有较高难度。因此,研究NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以AMD公司的AM29LV160DT为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量的方法,从而能够更为简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价。

简介：报道了高双折射光纤Sagnac环镜温度传感特性的实验研究结果,测得环镜的温度灵敏度系数为0.92nm/℃,为光纤布喇格光栅(FBG)温度灵敏系数典型值的89倍.以该环镜作为传感元件,以光纤布喇格光栅的反射谱作为光源,研究了环镜的强度型温度传感特性.在30～45℃的温度变化范围内,环镜透射光强与待测温度的关系具有较好的线性度和重复性,温度分辨率可达0.03℃.

简介：随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用，在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能，满足空间应用的各种需要，文章介绍了空间辐射环境，空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理，主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时，概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术，大大提高了空间应用的超辐射发光二极管（SLD）、超荧光光纤（SFS）光源、1310nm波长的InGaAsP／InP半导体激光器、电荷耦合器件（CCD）、互补性金属氧化物半导体（CMOS）器件的抗辐射性能和可靠性。

简介：针对复杂电磁环境中辐射源正确识别率低的问题,提出采用变权重灰关联分布式传感器信息融合的辐射源识别新方法。利用灰关联分析法进行辐射源识别能克服辐射源参数间的不确定性,其中特征参数的权重获取是灰关联法的难点,给出三种权值确定方法。然后根据分布式传感器信息融合和基于基本概率赋值的准则,进行时域和空域的证据融合,得到辐射源识别结果。仿真结果表明,三种定权法均具有高的辐射源识别率、好的环境适应性和好的识别鲁棒性。

简介：本文主要阐述了微机控制的液体电阻起动器的工作原理、性能特点、结构,以及微机控制系统的实现。

简介：采用耦合模理论,推导了环型谐振器的传输函数,分析了环型腔内功率的谐振加强特性,并在推导的非线性环型谐振器开关曲线的具体表达式基础上,指出损耗和耦合系数对开关特性的影响,数值模拟了非线性环型谐振器对不同输入功率Gauss脉冲的开关特性.

简介：随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用，国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要，文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响，比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣，得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制，抗辐射性能不如SON0s单元。同时在做抗辐射加固设计时，FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题，且不利于等比例缩小。文章的研究不但满足了目前的工作需要，还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础。

简介：讨论了噪声辐射源的测向问题，提出了一种基于时延估计的宽带测向算法。该算法将时延估计转化成频率估计，克服了基线距离要小于信号半波长的限制。结合高分辨率谱估计的MUSIC算法，实现了多信号频率估计。基于噪声信号的特殊性，分析了一种信号个数估计方法。仿真试验表明，在一定条件下，该方法能实现多噪声辐射源的信号个数估计以及各信号波达角估计（DOA）。

简介：

简介：工作在中、长波红外波段（波长5-12μm）的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延（ME）法在InAs（砷化铟）衬底上生长的InAs0.05Sb0.95（铟砷锑）厚膜单晶,制作了高灵敏度、非制冷型、中长波光导型探测器,探测器上安装了Ge（锗）浸没透镜。傅里叶变换红外（FTIR）吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2-9μm。室温下,在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp＊达到5.4×10^9cm·Hz1/2·W^-1,在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D＊分别为9.3×10^8和1.3×10^8cm·Hz1/2·W^-1,显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。

简介：以离子交换玻璃波导为例详细分析了渐变折射率分布波导中的自镜像效应,并完成了1×8渐变折射率分布MMI光功分器的设计和特性分析.在理论分析和设计的基础上完成了器件的制作,包括在国产K9光学玻璃上利用K+-Na+离子交换技术和以苯甲酸为交换源在铌酸锂基片上利用质子交换工艺分别完成1×8MMI光功分器的制作.测试表明器件基本实现了光均分功能.

简介：<正>AnalogDevices,Inc.全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,近日推出业界精度最高的隔离式Σ-Δ型调制器AD7403,适合直流/交流功率转换应用中的精密电流和电压测量。隔离式Σ-Δ型调制器AD7403可在78KSPS速率以及-40°C至+125°C温度范围内实现81-dB的信噪比和信纳比(SINAD)(最小值),比竞争器件高出11dB。较高的信纳比可实现更加精确的电流和电压测量,通过降低电机轴上的转矩波动,提高电机驱动的性能。此外,较高的信纳比