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  • 简介:研究了多个阵元在辐射相同单频信号时可能产生的效果,仅是阵列在电子信息传递中所起作用的一部分研究。可以用信号的强度和发射方向来表示合成电磁场远场效果,它们都是阵列馈电的函数。分析表明,合成电磁场可以表现为信号来自阵列所占方向跨度中的某一点,也可以表现为来自这个跨度外的某一点。具体地给出了这种阵列外虚假源的一般规律。

  • 标签: 相参阵列 阵列馈电 虚假源
  • 简介:HF通信是最重要的应急通信手段,影响HF通信的因素很多,如:电离层分布的变化、地面环境、频率、有效发射功率、接收灵敏度和天线的辐射特性等,其中天线的辐射特性是影响通信效果的重要原因之一。采用矩量法(MoM)分析了应急通信车体和车上附属设施对车载HF鞭状天线辐射特性方向图的影响,对安装在车上的通信天线辐射场计算公式进行了详细的分析推导,并利用计算机仿真车载天线辐射特性图,仿真结果对车载天线安装位置优化有指导意义。

  • 标签: HF通信 鞭状天线 天线辐射特性图 矩量法 应急通信车
  • 简介:针对导弹尾焰红外辐射的探测问题,分析了导弹的运动状态对尾焰红外辐射探测的影响,建立了导弹尾焰红外辐射探测模型。主要研究了直线、水平圆弧及爬升和下滑的运动状态的探测模型,并进行了仿真,得出了三种运动状态下导弹尾焰红外辐射运动探测的变化规律。

  • 标签: 导弹尾焰 红外辐射 运动状态 探测模型
  • 简介:<正>Diodes推出低压1MH-z升压直流-直流转换PAM2401,旨在满足备用电池、无线电话及全球定位系统接收等便携式产品对效率愈见严格的要求。这款同步转换可维持高达95%的工作效率,提供真正的输出断接功能以防漏电,并确保产品在低至1V的输入电压下安全启动。PAM2401为0.9V到4.75V较低的工作电压输入范围提供1.0A到3.0

  • 标签: 升压型 DIODES MHZ PAM2401 备用电池 便携式产品
  • 简介:本文阐述了用于测量低频超声清洗声场强度的几种实用方法,介绍了每种测量方法的基本原理,并对各自的优缺点进行了对比分析,最后介绍了国内外一些相关的测量设备.结合目前低频超声清洗声场测量方面的研究现状,探讨了今后该领域急需解决的问题.

  • 标签: 低频超声 对比分析 研究现状 清洗 问题 优缺点
  • 简介:本文根据人耳听觉机理,分析了人耳听觉感受和辨物过程,针对舰船辐射噪声识别,从音色的角度寻求新的基于听觉模型的目标识别特征。提出了舰船辐射噪声的谱通量、最大谱峰对应的频率值和时间重心三个听觉特征,研究了这三个听觉特征量的物理意义及提取方法,设计了适用于舰船辐射噪声分类识别的BP神经网络分类。采用实际的舰船辐射噪声进行综合试验,从分类的结果可以得出,基于听觉特征提取方法对舰船辐射噪声识别率高于传统的统计特征提取方法,达到了预想的效果。

  • 标签: 舰船辐射噪声 听觉特征 特征提取 神经网络 目标识别
  • 简介:<正>凌力尔特推出同步降压-升压DC/DC控制LT3790,采用单个器件就可提供高达250W功率。LT3790的4.7V至60V输入电压范围使其非常适合多种汽车和工业应用。其输出电压可设定在0V至60V,从而非常适合用作电压稳压或电池/超级电容器充电器。LT3790的内部4开关降压-升压控制采用高于、低于或等于输出电压的输入电压工作,使其成为汽车等应用

  • 标签: 升压型 DC/DC LT3790 凌力尔特 同步降压 输出电压
  • 简介:分析了使用半电波暗室测量不同距离处辐射场强之间的换算关系。首先介绍基于对数距离路径损耗得到的经验模型,然后通过计算不同发射/接收天线间距的归一化场地衰减(NSA)差值,得到了对同一场地和不同场地的不同测试距离处辐射场强理论模型。对不同场地的工程模型进行讨论,并且使用实验数据分析了不同测试距离处辐射场强的换算关系。实验结果表明,不适宜引入确定性修正因子,对待测物在3m和10m法半电波暗室的测试结果进行转换。

  • 标签: 电磁兼容 半电波暗室 归一化场地衰减 辐射场强
  • 简介:通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

  • 标签: 高压SOINMOS 背栅效应 总剂量 抗辐射加固
  • 简介:提出了一种利用辐射源"指纹"特征融合识别辐射源的方法。首先分析了功放信号模型、接收信号模型、频率和重复频率稳定度;然后定义了四个"指纹"特征;在此基础上利用获取的指纹特征构造辐射源特征数据库,结合D-S证据理论给出了识别算法的步骤和框图。依据该方法对四部雷达辐射源进行了指纹特征提取,采用融合技术进行了仿真实验,结果表明基于指纹融合的方法能有效地识别辐射源。相比于经典的模板匹配法、模糊识别法,指纹特征有更高的稳定性,对信噪比不敏感,辐射源的识别率较高。

  • 标签: 指纹特征 辐射源识别 数据融合 D-S理论
  • 简介:在科技飞速发展的现代社会,人们已经进入了一个高度文明的电子信息时代,同时由于现代科技的高速发展,电磁波辐射也是越来越严重。电磁波辐射带来的影响是多方面的,主要表现为干扰或中断通信设备,造成无法收看广播电视等。因此,迫切需要展开电磁辐射环境测试技术的研究。

  • 标签: 电磁辐射环境 电磁波辐射 辐射监测系统 奥运场馆 现代科技 信息时代
  • 简介:辐射源信号识别是当前电子情报(ELINT)信号处理中关键环节。无源雷达能够对探测到的雷达信号进行处理并取得辐射源脉冲信号的特征参数,包括载波频率(RF)、脉冲重复间隔(PRI)和脉冲宽度(PW)等。以无源雷达分选和采样后获得的辐射源特征参数为样本空间,提出了一种基于模糊集理论的雷达辐射源识别算法,根据已知辐射源识别库的识别知识可快速有效地识别各类已知特征的辐射源。仿真试验表明,该算法具有较高的识别可信度。

  • 标签: 辐射源识别 模糊集 格贴近度
  • 简介:与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括:栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。

  • 标签: 微电子器件 辐射效应 抗辐射加固 MOS器件等比例缩小
  • 简介:本文以一种裂隙梁接触端子为对象,结合显式时间积分法和罚接触算法,动态地仿真接触端子与印刷电路板(PCB)间直通微孔的金属衬套(电镀通孔(PTH))的插接过程,分析接触端子的结构对于连接可靠性的影响.研究发现汽车电子连接器用裂隙梁接触端子插接过程PTH可能发生塑性变形而破坏,此结论对汽车电子连接器用接触端子的微小型结构设计具有指导性意义.

  • 标签: 压力连接 接触 有限元 裂隙梁
  • 简介:针对法布里—珀罗干涉压力传感进行光学解调技术研究,采用以双折射光楔为核心的白光偏振干涉系统对传感干涉系统进行解调,利用不同尺寸光楔设计对比实验并进行加压检测,确定传感系统与解调系统匹配的具体设计方法.

  • 标签: 法布里—珀罗 光学解调 双折射光楔 白光
  • 简介:针对多运动站的到达时间差(TDOA)和到达增益比(GROA)的辐射源定位问题,提出了一种无源定位算法。传统定位模型需要利用中间变量构造线性方程,不适用于多运动站连续定位。针对该问题,本文推导了无需中间变量的TDOA/GROA联合定位模型,然后根据量测模型推导了误差项,并推广到所有历史量测,提出了基于约束加权最小二乘(CWLS)的多运动站辐射源定位算法,最终通过对加权矩阵和约束矩阵进行广义特征值分解得到目标的状态估计。所提算法避免引入中间变量带来冗余的问题,无需初始化过程,性能更加稳健。仿真结果表明该算法性能逼近克拉美罗下界(CRLB)且是渐进无偏的。

  • 标签: 辐射源定位 约束加权最小二乘 时差 增益比 中间变量
  • 简介:灰关联分析是灰色系统理论的重要组成部分,寻找合适的相似性度量方法是提高灰关联分析准确性的关键。针对原有灰关联分析的雷达辐射源识别方法的缺陷,本文研究了利用面积计算灰关联度在辐射源识别中的应用,并与传统灰关联度方法进行了比较。仿真结果表明了本文方法运用在辐射源识别上的可行性及有效性,可以有效地提高辐射源识别的正确率。

  • 标签: 机载平台 辐射源识别 灰关联分析 改进灰关联度算法
  • 简介:提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转(SEU)效应或单粒子传输(SET)效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10%以内。

  • 标签: 抗辐射设计方法 C单元 单粒子效应 三重冗余 标准单元 表征