简介：介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3（001）衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁（MgO）衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。

简介：采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

简介：文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

简介：介绍了光子晶体的能带结构、制备技术和应用方面的最新的发展,光子晶体的光子能隙有完全能隙和不完全能隙的区分.光子晶体的制备技术大体可分为微电子制备技术、自组装技术和层层叠加技术.同时,通过光子晶体一些应用方面的介绍,揭示了光子晶体的广阔的应用前景.

简介：采用模压成形制备预制件，经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳，评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1．2％，成形压力为200MPa，800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12．4MPa，孔隙率为37％。A1SiC电子封装材料在100℃～500℃区间的热膨胀系数介于（6．52-7．43）×106℃^-1，热导率为160W·m^-1·K^-1，抗弯强度为380MPa，漏率小于1．0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下，A1SiC管壳升温至450℃．恒温90min，然后随炉冷却，密封环为铝合金的管壳明显变形，与有限元分析结果相符，而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成（Fe，Ni）Al3，但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密，导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。

简介：介绍了近些年一些具有代表性的压缩光孤子的实验;通过理论分析,发现这些实验按基本的设计思想可划分为两类,而这两类实验方法归根结底都是利用了光孤子内在的量子特性.

简介：采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.

简介：<正>近日,英国曼彻斯特大学物理学与天文学院的安德烈·格伊姆教授和科斯特雅·诺沃塞洛夫博士,在石墨烯基础上开发出一种具有突破性的新材料——石墨烷。他们用纯净的石墨烯和氢制备出了一种具有绝缘性能的二维晶体石墨烯衍生物——石墨烷。该方法也同样适用于制备出其他基于石墨烯的超薄材料,这些新型超薄材料具有不同导电性能。相关研究结果发表在1月30日出版的

简介：金刚石/铜复合材料具有高的热导率和可调的热膨胀系数,是一种极具竞争力的新型电子封装材料,可作为散热材料广泛应用于高功率、高封装密度的器件中。文中从工程化的角度出发,对应用中的瓶颈因素进行了研究。为改善其钎焊性能,采用磁控溅射、电镀等方法在金刚石/铜表面获得了附着力、可焊性良好的Ti-Cu-Ni-Au复合膜层。在此基础上进行了钎焊试验,金锡焊料在复合膜层上铺展良好、无虚焊。对金刚石/铜的散热效果与钼铜片做了对比试验,结果表明,在相同条件下,与钼铜热沉片相比,降温幅度超过20℃,具有更优异的散热效果。

简介：利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍（NiO）薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCONRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明：氧化时间为60min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过PhillipsX’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,KeysightB1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。

简介：采用偏硼酸盐和硼酸-氧化物为原料,分别通过一步法和两步法制备B_2O_3-SiO_2系微晶玻璃陶瓷材料,并对不同原料和方法制备的陶瓷材料进行XRD、SEM分析及力学、热学性能对比测试。结果表明以偏硼酸盐为原料使用一步法制备硼硅酸盐微晶玻璃陶瓷成瓷性能较两步法制备微晶玻璃陶瓷性能差,两步法制备微波玻璃陶瓷材料玻璃相相对较多,性能较好。

简介：编者按膜技术是一种高效节能的过滤分离技术,在多种行业中已得到广泛应用.本期发表的文章介绍了膜技术在清洗行业中的两种重要应用.随着超精密工业清洗的发展,越来越多的工艺需要用到纯水和超纯水,因此许多生产厂家需要添置膜分离设备,自行制备纯水,所以技术人员掌握膜技术有关知识是十分必要的.目前使用水基清洗的部门往往为如何处理清洗废水的难题所困扰,而采用膜技术解决清洗废水处理的问题是一种很有效的方法.希望本文能够对读者有所启发.本刊以后还将介绍有关膜材料使用后,如何清洗再生方面的知识.

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：<正>00633多芯片组件在军事领域的应用状况及市场动态/赵钰(中国电子科技集团公司第43研究所)//混合微电子技术。—2003,1—2.—14先进微电子和光电子是信息时代信息高速公路的基本建设单元,多芯片组件(MCM)是为满足高速传输网络通信数据和便携式通信装置需求的关键封装技术。该技术具有集成度高、体积小、重量轻、性能可靠,功率耗散小,可靠性高及节省成本的优越性。本文通过

简介：SEHO的PowerSelective系统采用模块化设计，确保最大灵活性。该系统采用SEHO公司独特的多喷嘴技术并可根据特定生产需求而进行定制。SEHO的多喷嘴技术可确保每个面板或载板的周期时间缩短至25秒。通过即时工具更换，客户无需浪费转换时间，即可进行高混合生产。为实现最高灵活性，该系统采用完全脱离助熔和预热流程的高精度微波流程，以确保大批量生产。

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简介：首先分析了大灵通系（SCDMA）与第3代移动通信系统（3G）的干扰产生及类型，分别从理论分析和蒙特卡罗静态仿真两方面对干扰大小进行研究。最后，结合理论分析及仿真结果给出系统共存时的干扰程度及减少干扰所需的规避措施，为多系统干扰共存提供了重要依据。

简介：摘要房屋是人类生活栖息的重要场所，城市中的大量的流动人口随着日益升温的房屋出租产业，注入了无限的发展空间。但在房屋管理上存在着大量的缺陷，如繁重的数据流量，复杂的合同管理，以及繁多的报表等等。为了跟上社会的发展，为此，在考查了社会现状和对现有人员的分析之后，提出了我们的课题——房屋租赁推荐系统。我们的房屋出租系统就在此市场环境下孕育而生。

简介：摘要本文针对近些年来频发的低龄幼童因被锁车内而高温受害甚至死亡的现象，提出汽车维生报警系统的设计。通过人体感应模块，红外二氧化碳传感器，温度模块等采集信息，发送给单片机进行信息处理。设计分为硬件部分设计和软件部分设计。实验结果表明，该设计能一定程度上降低儿童因车内环境温度过高或氧气浓度过低致死事故发生的频率，但幼童处在危险环境中无法自救仍是无法解决的事故产生的重要原因之一。