简介：Inthispaper,wedemonstratetheacetylehe(C2H2)sensorwithhighsensitivityusingahollow-corephotonicbandgapfiber(HC-PCF).ExperimentsformeasuringC2H2concentrationsingasmixtureareperformed.Usinga2m-longHC-PCFasgascell,thespectrumofacetyleneatn1+n3bandhasbeenmeasured,andtheP11-branchhasbeenselectedforthepurposeofsensing.Aminimumdetectivityof143partspermillionbyvolume(ppmv)forthesystemconfigurationisestimated.

简介：<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编

简介：

简介：<正>飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOS-FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5nCMiller电荷(Qgd),比相

简介：ThepreparationofPT/PEK-cfilmsisreportedaswellastheirdielectricandopticalproperties.Thec-axisorientationratioofthefilmsis68%.Dielectricconstantandlossfactorat10kHzisabout4.023F/mand0.003,respectively.Therefractiveindicesofthefilms,neandno,are1.6573and1.6278at0.63μmwavelength,respectively.Theopticalband-gapofthefilmwithathicknessof2.33μmisfoundtobe3.06eV

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简介：<正>据《今日电子》2003年4期报道,InternationalRecitifer公司推出新型WARP2600V/50A,35A和20A不穿通(NPT)的IGBT,改善了大电流开关电源(SMPS)的关断性能。WARP2IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起,采用IR的薄硅晶片技术制造,能保证少数载流子的耗尽时间更短,从而加快关断,可以忽略关断尾巴电流,关断开关损耗

简介：有消息称，在即将摊出的新产品中，金山毒霸将放弃合作长达一年之久的俄罗斯Dr.Web引擎，全面启用自行开发的新引擎。同时，新产品一改以前以按年号命名的习惯(如金山毒霸2003)，将被命名为金山毒霸V。从诞生之日起就高举双引擎杀毒大旗的金山毒霸，正在经历一次脱胎换骨的重大改变，而事实

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：TheanalysisofsolarcellperformancehasbeendonebysimulatingtheexternalI-Vcharacteristicsofn^+/p/p^+singlecrystalsiliconsolarcellunderhighlightintensityand1.5airmass(AM).Thismethodallowsthemaximizationofsolarcellefficiency.Tofabricatelow-costn^+/p/p^+singlecrystalsiliconsolarcells,solidsourceofdopedphosphorousandboronwasused.

简介：从2003年8月OKI公司推出C5000／C7000／C9000全系列彩色LED页式打印机以来．其出色的产品品质得到了众多用户的青睐．尤其是C5100、C5300等两款入门级产品，与其它厂商的同类机型相比．其打印速度、打印质量、分辨率、功能拓展以及总体拥有成本等指标都遥遥领先．被众多IT媒体授予了”2003年度推荐产品”称号。

简介：研究表明含氟气体的性质决定了原子氟（F）的转化效率,通常在CxFy气体中x的值越大,氟（F）的转化效率也就会越高。所以C3F8（八氟丙烷）比C2F6（乙氟烷）具有更高的利用效率,更少的PFC（全氟化物）的排放。文章主要研究在以四乙氧基硅烷（TOES）为基础的离子增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD）的清洗制程中,利用分解效率高的C3F8气体取代C2F6气体。通过实验设计（DesignOfExperiment,DOE）,调整腔体压力、射频（RF）功率、气体流量等参数,最终得到最优化的新清洗配方。应用到实际的量产中,有效地降低了成本,减少了PFC的排放。

简介：随着超大规模集成电路工艺的高速发展,特征尺寸越来越小,而静电放电（ElectrostaticDischarge）对器件可靠性的危害变得越来越显著。因此,静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目。I/V特性扫描是静电放电试验中必不可少的一环。文章介绍了I/V特性扫描的目的、波形、程序、扫描过程中遇到的问题和应用。

简介：TheconventionaltransmitantennaselectionforVerticalBellLaboratoriesLayeredSpaceTime(V-BLAST)systemisverycomplexbecauseitneedstocomputetheinverseofchannelmatricestimeaftertime.Inthispaper,anewgrouptransmitantennaselectionschemeforV-BLASTsystemisproposed.The1stgrouptransmitantennasaredecidedaccordingtoacertainselectioncriterionamongtheavailableantennas.Then,withGroupInterferenceSuppression(GIS)technology,theinterferencesofthetransmitsymbolsfromtheselectedantennascanbesuppressed.Finally,the2ndgrouptransmitantennasaredecidedamongtheresidualavailableantennas.Simulationsshowthatitsperformanceislowerthanthatoftheconventionalselectionscheme.However,thenewselectionschemehaslowercomplexitythantheconventionalone.

简介：Thesubbandstructures,distributionsofelectronandholewavefunctions,statedensity,opticalgainspectra,andtransparencycarrierdensityoftheV-grooveZn1-xCdxSe/ZnSequantumwiresareinvestigatedtheoreticallyusingfourbandeffective-massHamiltonian,whichtakesintoaccounttheeffectsofthevalencebandanisotropyandthebandmixing.Thebiaxialstraineffectforquantumwiresisincludedinthecalculation.ThecompressivestrainintheZn1-xCdxSewireregionincreasestheenergyseparationbetweentheuppermostsubbands.Theopticalgainwithxy-polarizedlightisenhanced,whileopticalgainwithz-polarizedlightisstronglydecreased.Thexy-polarizedopticalgainspectrumhasapeakataround2.541Ev,withthetransparencycarrierdensityof0.75×1018　cm-3.Thecalculatedresultsalsoshowthatthestraintendstoincreasethequantumconfinementandenhancetheanisotropyoftheopticaltransitions.

简介：今年下半年，苹果新一代操作系统MacOSXv10.3Panther将正式登上Macintosh的舞台。这将是一件你绝不愿意错过的精品。无论你使用的什么型号的Mac机，无论你从事什么行业，Panther都会令你的Mac更加强大，今天我们就先睹为快，提前与大家分享一下这款新品的精彩种种。

简介：<正>Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarprocess)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的便携式产品,还可改善产品的电性能及热特性。

简介：V型槽侧面耦合是目前双包层光纤抽运光耦合的方法之一。本文提出了一种二透镜光学系统的耦合模型，并利用几何光学的ABCD矩阵分析和计算了透镜焦距与激光二极管阵列（LD—Arrays），透镜，双包层光纤（DCF）三者之间间距的关系，同时通过计算确定了V型槽所开的最佳角度。通过数值模拟计算发现透镜焦距的选取在很小范围内会引起两透镜间距的剧烈变化而且激光二极管与透镜的间距以及两透镜间的间距主要取决于靠近激光二极管那个透镜的焦距大小。本文的分析和计算对V型槽侧面抽运的光学耦合系统中透镜焦距的选取以及LD，透镜，DCF三者之间间距的设置的最优化提供了理论指导。

简介：Inthispaper,buildingtogrid(B2G)andvehicletogrid(V2G)havebeendefinedwithclearandpracticalunderstanding.Bothofthemarenewgenerationtechnologieswhicharetheessentialpartofsmartcitylivingandcrowdenergyclustering.Firstly,anin-detailedoverviewhasbeenprovidedwithanintroductiontoB2GandV2Gfollowedbyahistoricaloverviewandtheoreticalanalysisinrespecttosmartcityplanning.Next,areviewisconductedoncurrentandprevioussmartlivingresearch,whichdealswithB2GandV2G.EfficientB2GandV2Gimplementationsinpracticalcasesthenhavebeendiscussed.Lastly,bothofthesetechnicalprospectshavebeenanalyzedincrowdenergydiagram.

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。