简介：针对“强光一号”加速器Z箍缩负载产生的总能量约40kJ软X射线功率密度测量问题,提出了利用针孔阵列对距离负载中心较近处试验面的功率密度进行衰减的物理方案,分析了针孔成像原理,设计了针孔阵列,计算了阵列衰减因数.分析计算结果表明,设计的针孔阵列可有效对软X射线功率密度进行衰减,衰减因数为4×10^-6^.同时,该针孔阵列可对由磁流体力学不稳定性引起的Z箍缩软X射线辐射源成像光强不均匀现象起到匀化作用,从而使利用该针孔阵列对试验面功率密度进行测量具备了可行性.
简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.
用于Z箍缩功率密度测量的针孔阵列设计
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
