简介:在并行FIR的快速迭代短卷积算法(ISCA)基础上,采用多级小尺寸并行FIR结构级联结构,实现了一种新型并行FIR滤波器。在增加一定量的加法器和延迟单元等弱运算强度单元的情况下,大大减少使用的乘法器数量。一个采用3级(2×3×6)级联结构的2并行36抽头FIR滤波器仅需18个乘法器,比单级ISCA算法实现的FIR结构节省了67%,更适合于专用并行FIR滤波器的VLSI实现。
简介:在综述微波功率AlGaN/GaNHFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿势垒宽度,抑制电流崩塌。背势垒中的极化电荷强化了沟道阱的量子限制,减弱了沟道中的强场峰,能提高击穿电压和抑制电流崩塌。薄势垒层中的极化电荷强化了沟道阱的结构,降低势垒高度后能产生高密度的电子气。优化设计二维异质结构能抑制沟道中的强场峰和电流崩塌,提高击穿电压和大漏压下的输出功率。
简介:2013年2月16日,国家发改委发布2013年第21号令,针对2011年3月27日国家发展改革委公布的第9号令《产业结构调整指导目录(2011年本)》的有关条款进行了修正。第21号令中指出,为更好地适应转变经济发展方式的需要,根据《国务院关于发布实施〈促进产业结构调整暂行规定〉的决定》(国发[2005]40号),国家发改委同国务院有关部门对《产业结构调整指导目录(2011年本)》有关条目进行了调整,形成了《国家发展改革委关于修改〈产业结构调整指导目录(2011年本)》有关条款的决定》,现予公布,自2013年5月1日起施行。