简介:O484.599042623用喇曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸=Estimationofcrystal—sizeofnano—GebyRamanscatteringspectra[刊,中]/王印月,郑树凯,杨映虎,郭永平(兰州大学物理系.甘肃,兰州(730000)),奇莉,甘润今(北京机械工业学院基础部.北京(100085))//光学学报.—1998,18(9).—1265—1268用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc—Ge/SiO2。测量了不同温度退火后该复合膜的喇曼散射光谱,其结果与晶体Ge的喇曼谱相比,纳米Ge的喇曼峰位红移峰形变宽;用喇曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得
简介:O484.52003053772厚度具有线性变化的吸收平板或膜层的非相干透射率和反射率=Incoherenttransmissivityandreflectivityofanabsorbingplaneplateorlayerwithlinearvariationsinthickness[刊,中]/钟迪生(辽宁大学物理系.辽宁,沈阳(110036))//应用光学.-2002,23(1).-40-43计算了垂直入射下厚度具有线性变化的吸收平板样品的非相干透射率和反射率(正面和反面),给出了直接确定无基底样品以及透明基底上薄膜能量(强度)系数的精确表达式。图3参3(郑锦玉)
简介:O484.42003021190稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特征=PhotoluminescencepropertiesinNd,Ce-implantedSi-basedfilms[刊,中]/元美玲(南昌大学物理系.江西,南昌(330047)),刘南生…//发光学报.—2002,23(3).—291-295测量了Nd,Ce稀土离子注入Si基晶片,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。运用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行了观察,结果显示,样品表面颗粒大小、粗糙度将影
简介:O484.12003053737铌酸锶钡薄膜的微结构与电光性能的研究=Microstructureandelectroopticalpropertiesofstrontiumbariumniobatethinfilm[刊,中]/叶辉(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),MelanieMTHo…//光学学报.-2002,22(10).-1170-1175叙述了使用溶胶-凝胶法在MgO(001)的衬底上制备铌酸锶钡薄膜的过程,膜层厚度可达5μm。通过X射线衍射、摇摆曲线、(?)扫描、喇曼散射光谱等方法研究了薄膜的微结构性能,实验发现,铌酸锶钡薄膜具有了较好的